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Améliorer mes Classe A IRF150

Message » 06 Juin 2021 20:24

thierry38d a écrit:Ok.

les (2S)K1058 et (2S)jJ162 ne sont plus fabriqués (ou fournis ?).
Le préfixe 2S devant un transistor indique que cela vient d'Asie (Japon ou autre).
Le préfixe 2N indique Européen/Ricain.

Même ce préfixe tend à disparaître.

Pour les K1058, Exicon ECX10N20. (Avantage des latéraux pour le coeff. de T° négatif/stable en dessus de ~100mA).

:) Mais reste à choisir un Mos pour la source de courant.



Hello Thierry,

Alors des idées pour le mettre un MOS dans ton schéma ?

Moi j'en ai pas :oops:
omartine
 
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Message » 10 Juin 2021 19:01

:) Oui,

Il faut faire le choix d'un MOS.
Lequel ? celui que tu choisiras (peut-être à changer de choix si la courbe Ids/Vgs ne convient pas trop ).
Le choix est + qu'énorme. (en boitier TO3P,TO247,TO264 ).

Un des avantages "modernes" est qu'un seul TO264 pourra dissiper les Calories/Joules de façon quasi constante(...enfin, avec un dissipateur idoine ).
Peut-être pas besoin de MOS en // (sinon un minimum d'appairage (appariement ?)).

Contrairement aux LM317HVK (régul. de tension) ou le courant est fixé par les 1.25V de référence, nativement.
thierry38d
 
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Message » 13 Juin 2021 10:51

Y a un truc que je comprends pas, sur le single end, le courant de bias est de 2 A, il y a 4 LM317 HVK en // ???
Pourquoi car un seul LM317 HVK, tiens le courant de 2A !!!!!

Ce qui en fonction de l'explication, va déterminer le choix d'un MOSFET. Je peux prendre un MOS en 40A ou en 120A, etc.....

Après, le but c'est que le composant soit présent pendant au moins 15 a 20 ans....

S'il y a une personne qui a des idées sur un bon MOS dans la durée !!!
Merci
omartine
 
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Message » 13 Juin 2021 15:47

La puissance dissipable par le TO3 (317HVK) n'est pas fournie.
Ce n'est pas uniquement le courant max.

De façon pratique, et pour la fiabilité/durabilité, on essaie de ne pas dépasser les 100° sur la puce (le die) à l'intérieur du boitier.
Même si sur la datasheet on trouve 125, 150 ,175°.

En rajoutant les R thermiques (°/W) die-->semelle-->mica (ou autre)-->dissipateur---> air ambiant,
La T° de la puce est bcp + élevée que celle du dissipateur.

D'où le choix de plusieurs LM317 en //.

Mais sur le LED 174 (avec les K1058), je n'ai pas compris le choix des résistances des 4 régulateurs.
2 en 0.82 Ohm
2 en 3.3 Ohms
soit un total de 1.25V/(0.82/2) +1.25V/(3.3/2)
3.8A.

Pourquoi ce choix de 2 LM317 avec des courants différents... :) Aucune idée, peut-être une histoire d'équilibre de T° autour des 2 K1058 ?
thierry38d
 
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Message » 13 Juin 2021 21:33

thierry38d a écrit:La puissance dissipable par le TO3 (317HVK) n'est pas fournie.
Ce n'est pas uniquement le courant max.

De façon pratique, et pour la fiabilité/durabilité, on essaie de ne pas dépasser les 100° sur la puce (le die) à l'intérieur du boitier.
Même si sur la datasheet on trouve 125, 150 ,175°.

En rajoutant les R thermiques (°/W) die-->semelle-->mica (ou autre)-->dissipateur---> air ambiant,
La T° de la puce est bcp + élevée que celle du dissipateur.

D'où le choix de plusieurs LM317 en //.

Mais sur le LED 174 (avec les K1058), je n'ai pas compris le choix des résistances des 4 régulateurs.
2 en 0.82 Ohm
2 en 3.3 Ohms
soit un total de 1.25V/(0.82/2) +1.25V/(3.3/2)
3.8A.

Pourquoi ce choix de 2 LM317 avec des courants différents... :) Aucune idée, peut-être une histoire d'équilibre de T° autour des 2 K1058 ?


Oui je me suis fait la même réflexion, mais sans réponse aussi, et surtout les différents courant...
De plus le bias est annoncé dans le Mag de 2 A , et pas de 3,8A ... mystère..

Après voici, une sélection de MOS, mais le problème est de savoir s'ils vont être encore la, dans les années a venir....!!!!!!

https://www.reichelt.com/fr/en/mosfets- ... e7332cc33d
omartine
 
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Message » 23 Juin 2021 20:48

Hello Thierry,

tu as un avis sur un bon Mosfets ?
Je commence a préparer ma commande, chez reichelt.
Mais je ne sais pas s'il faut plutôt prendre un qui prends un max de courant ou plusieurs.
Si on en prends plusieurs va falloir les appareilles....alors que avec un seul Mosfet, ça serait plus simple...
omartine
 
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Message » 27 Juin 2021 18:40

Hello,
je viens de voir que le filtre que j'avais n’était pas pris en compte, et que tous les MOS remontés.
Bref, j'ai fait un choix, j’espère qu'il sera un bon choix...le voici
Thierry, tu en penses quoi ?

https://secure.reichelt.com/fr/en/mosfe ... tml?&nbc=1
omartine
 
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Message » 29 Juin 2021 10:54

Hello,

Oui et non, ça demande un peu de temps pour "disséquer" les références/datasheet.
Comme j'ai regardé vite fait, il y a des TO264 de 750W à 25° (...le courant 120A en continu) chez IXYS.
Mais le choix est monstrueux.

ça confirme qu'un seul TO264 peut faire l'affaire.(donc pas d'appairage).
reste la courbe Ids/Vgs qui est sensible pour de tel MOSfet (pour la "dérive en T°). Edit: comme celui que tu as donné ci-dessus.

Faudrait choisir un MOS de 200-300W avec courant de 20-40A.
:) ça demande du temps de libre.

Essaie d'en choisir qqs-uns, je pourrai donner un avis.

Suis en vacance ce Vendredi.
thierry38d
 
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Message » 03 Juil 2021 18:28

Hello,

Je sais que tu es en vacances et bonne vacances surtout...
j ai trouvé des MOSFETs avec les critères que tu m'as donné...

Les voila :

IRFP 150N
https://secure.reichelt.com/fr/en/power ... os_0&nbc=1

IRF 5210
https://secure.reichelt.com/fr/en/power ... l_43&nbc=1

Quand tu sauras de retour, tu pourras me donner ta préférence
Merci
cdt
Olivier
omartine
 
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Message » 17 Aoû 2021 18:00

Hello,
J espère que tu as passe des bonnes vacances.
Moi j y suis encore..
Retour dimanche
Pour info, j ai les deux transistors chez moi.
Dis moi quand tu es dispo pour voir comment remplacer nos 327hvk
À plus
Olivier
omartine
 
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Message » 24 Aoû 2021 16:14

Hello,

Le premier semble pas mal (un petit doute avec ses 160W à 25°) pour ne pas en mettre 2 en //.
Le deuxième est trop juste en TO220 pour 1 seul transistor.(résistance thermique).

Je regarderai ça.
De toutes façons, selon le MOS choisi, il faudra que je crée un .SUBCKT pour LTspice.( ...des fois qu'on trouve le modèle tout fait :) )).

L'idée est d'utiliser qu'un seul MOS (pour ne pas apparier si mise en //) et faciliter le changement.
Il faudra visser un autre petit transistor (NPN monté en diode, en TO220 ou TO126, genre BD139 ou autre) sur le TO247/264 pour la dérive en T°.

Edit: je viens de penser qu'on peut utiliser aussi des MOS latéraux pour la source de courant.(plus de souci de dérive en T°)
Les BUZ900DP étant obsolètes aussi !
Il reste les Exicon.ECF20N20 pas trop chers et "trouvables" (combien de temps ???).
ça passera en dissipation de puissance en continu, avec la double die/puce.

On les trouve en TO3 et TO247
thierry38d
 
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Message » 29 Aoû 2021 8:24

Super, bon super, j attends de tes nouvelles... Dis moi ce qui est le mieux pour le son, et apres dans la duree ca sera encore autre choses.
Merci a toi
omartine
 
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Message » 02 Sep 2021 10:56

Bonjour,

j'utilise le 1er

Code: Tout sélectionner
.SUBCKT irfp150n 1 2 3
**************************************
*      Model Generated by MODPEX     *
*Copyright(c) Symmetry Design Systems*
*         All Rights Reserved        *
*    UNPUBLISHED LICENSED SOFTWARE   *
*   Contains Proprietary Information *
*      Which is The Property of      *
*     SYMMETRY OR ITS LICENSORS      *
*Commercial Use or Resale Restricted *
*   by Symmetry License Agreement    *
**************************************
* Model generated on May  9, 01
* MODEL FORMAT: SPICE3
* Symmetry POWER MOS Model (Version 1.0)
* External Node Designations
* Node 1 -> Drain
* Node 2 -> Gate
* Node 3 -> Source
M1 9 7 8 8 MM L=100u W=100u
.MODEL MM NMOS LEVEL=1 IS=1e-32
+VTO=3.79419 LAMBDA=0.00212281 KP=29.6525
+CGSO=1.67307e-05 CGDO=7.65499e-07
RS 8 3 0.0167405
D1 3 1 MD
.MODEL MD D IS=1.30113e-09 RS=0.00354132 N=1.35626 BV=100
+IBV=0.00025 EG=1.2 XTI=3.06859 TT=0.0001
+CJO=1.16383e-09 VJ=1.02493 M=0.491499 FC=0.5
RDS 3 1 1e+06
RD 9 1 0.00643344
RG 2 7 4.5333
D2 4 5 MD1
* Default values used in MD1:
*   RS=0 EG=1.11 XTI=3.0 TT=0
*   BV=infinite IBV=1mA
.MODEL MD1 D IS=1e-32 N=50
+CJO=3.04945e-09 VJ=0.5 M=0.811601 FC=1e-08
D3 0 5 MD2
* Default values used in MD2:
*   EG=1.11 XTI=3.0 TT=0 CJO=0
*   BV=infinite IBV=1mA
.MODEL MD2 D IS=1e-10 N=0.4 RS=3e-06
RL 5 10 1
FI2 7 9 VFI2 -1
VFI2 4 0 0
EV16 10 0 9 7 1
CAP 11 10 4.55435e-09
FI1 7 9 VFI1 -1
VFI1 11 6 0
RCAP 6 10 1
D4 0 6 MD3
* Default values used in MD3:
*   EG=1.11 XTI=3.0 TT=0 CJO=0
*   RS=0 BV=infinite IBV=1mA
.MODEL MD3 D IS=1e-10 N=0.4
.ENDS irfp150n



Code: Tout sélectionner
*VDMOS with subthreshold (c) Ian Hegglun Jun 2019
.model IRFP150N VDMOS (Rg=2 Vto=3.5 Kp=44 Lambda=3m
+ Rs=5m Ksubthres=0.15 Mtriode=1 Rd=20m Rb=0.01
+ Bex=-1.25 Vtotc=-4m tksubthres1=4m Trs1=3.5m Trd1=5m
+ Cgdmax=2n Cgdmin=100p a=0.35 Cgs=2n Cjo=2n
+ m=0.4 VJ=0.75 IS=1n N=1 Vds=100 Ron=30m Qg=90nC mfg=VishIH1906)


Au fait vous vouliez un classe A de quelle puissance et sous quelle impédance ?
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Message » 02 Sep 2021 23:03

L’ampli LED Est conçu pour des IRF150 pas pour des IRFP150, plus light.
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Message » 03 Sep 2021 1:08

Hello,

Le but est d'utiliser le IRFP150 en source de courant. non pour la modulation qui est en double 2SK1058.

La datasheet donne 230W à 25°.(edit: le modèle onsemi / Fairchild IRFP150 n'a pas les même caractéristiques 193W à 25° et...obsolète )
Avec un power derating de 1.5W par degré.

Disons une valeur de 100°-25°=75.
75*1.5=112

230W-112=118W.
Donc convient bien, le courant sera fixé à 3.8A. (1 seul transistor suffira, pas besoin d'en mettre en // avec un appairage nécessaire )

Il faut juste adjoindre une compensation en T°.

Il est un peu juste en puissance pour l'alim en +/-42V et 3.8A crête (on peut en mettre 2 en // même sans appairage le risque d'un écart important reste faible, surtout venant d'un même lot)
En +/30V environ et un courant continu de 3A, il est pas mal.
La puissance diminue un peu.( 18W sur 4 Ohms et 36W sur 8 Ohms, qui reste sous la tension de rail (3A*8 Ohms=24V)

Image
thierry38d
 
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