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Les amplificateurs intégrés ( pré-ampli + ampli de puissance dans 1 seul appareil )

sans vouloir faire de polémique !

Message » 28 Jan 2017 21:17

Samsara a écrit:Un classe D travaillant uniquement en commutation (ON-OFF) c'est pourquoi il y a très peu de pertes (dû à la RdsOn très faible des MosFet , d'ailleurs un classe D travaille tout comme une alim SMPS type alim d'ordinateur ) alors qu'un classe AB travaille en modulation,ce qui explique l’intérêt de la classe D en audio embarqué et Sono.


Pour les pertes en commutation,c'est un peu + délicat.
Le seul paramètre Rds on ne suffit pas.
En audio (et dans d'autres domaines),on ajoute un temps mort sur la commande de gate.(i.e retarder la décharge de capa de grille Ciss).
De façon à réduire la disto globale.(recouvrement de conduction)
Après,la valeur de ce temps...compromis comme toujours.

J'avais construit un UCD en 2008,avec des irs2110.(doit y avoir des restes dans la section DIY).
et aussi des alim SMPS,avec sg3525,
thierry38...
 
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Message » 28 Jan 2017 21:38

Sacré engin ce IXTK120N20P ! Mais les capacités parasites sont hénnnnnaurmes...

> la SOA est définie en continu et pour des durées d'impulsions spécifiées, mais ce qui
> n'apparaît pas clairement, c'est qu'en principe, c'est du monocoup.

Oui c'est pourquoi dans mon calcul à la louche, j'ai pris la SOA 50ms alors que la puissance crète ne dure que quelques ms, mais ça reste approximatif. La marge de sécurité à prendre est assez floue.

> La meilleure façon de faire, c'est d'utiliser la courbe d'impédance thermique
> transitoire pour établir un modèle (qques RC) donnant la température jonction instantanée

Tout à fait !
Certains MOSFETs ont ce type de modèle dispo en téléchargement (electrothermal).
C'est très instructif.
peufeu
 
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Message » 28 Jan 2017 21:42

thierry38... a écrit:
Samsara a écrit:Un classe D travaillant uniquement en commutation (ON-OFF) c'est pourquoi il y a très peu de pertes (dû à la RdsOn très faible des MosFet , d'ailleurs un classe D travaille tout comme une alim SMPS type alim d'ordinateur ) alors qu'un classe AB travaille en modulation,ce qui explique l’intérêt de la classe D en audio embarqué et Sono.


Pour les pertes en commutation,c'est un peu + délicat.
Le seul paramètre Rds on ne suffit pas.
En audio (et dans d'autres domaines),on ajoute un temps mort sur la commande de gate.(i.e retarder la décharge de capa de grille Ciss).
De façon à réduire la disto globale.(recouvrement de conduction)
Après,la valeur de ce temps...compromis comme toujours.

J'avais construit un UCD en 2008,avec des irs2110.(doit y avoir des restes dans la section DIY).
et aussi des alim SMPS,avec sg3525,

Pour les composants destinés à travailler en commutation les constructeurs donnent les paramètres permettant de calculer les pertes.
Pour les interrupteurs, ils donnent les pertes pour une commutation (en mJ) dans des conditions données de tension, courant et température. Il y a une valeur pour la commutation "on", une pour "off" et une pour le "off" de la diode (ou son Qrr). Dans le cas où on utilise la diode substrat, ses pertes sont incluses dans celles du transistor adjacent. Pour de l'audio comme pour des alims, on a le droit de négliger les pertes de mise en conduction de la diode. Pour calculer dans les conditions du problème, il y a une approximation pas trop fausse qui consiste à dire que ces pertes sont proportionnelles à la puissance commutée (U x I) et faire la règle de 3.
Attention, ces valeurs varient beaucoup en température (le rds on aussi, d'ailleurs)
A+
Dernière édition par Robert64 le 29 Jan 2017 8:41, édité 1 fois.
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Message » 29 Jan 2017 1:49

peufeu a écrit:Sacré engin ce IXTK120N20P ! Mais les capacités parasites sont hénnnnnaurmes....

Un IRFP240 est à 1300pF pour 150W http://www.vishay.com/docs/91210/91210.pdf ,un IXTK120N20P est à 6000pF pour 700W ,soit exactement le même ratio :ane:
Donc un seul transistor au lieu de 4 ou 5 :zen:
Quoi que depuis Jacovopoulos est ses Hexorciste ,la capa d'entrée n'est plus un problème https://amplifredy.wordpress.com/
Samsara
 
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Message » 29 Jan 2017 4:23

c’est quand même dingue ce qu' ils arrivent a réaliser dans le DIY :o ...bravo :ohmg:
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Message » 29 Jan 2017 13:37

Samsara a écrit:Donc un seul transistor au lieu de 4 ou 5 :zen:
Quoi que depuis Jacovopoulos est ses Hexorciste ,la capa d'entrée n'est plus un problème https://amplifredy.wordpress.com/


Le PMOS complémentaire, IXTK120P20T a un Ciss de 77nF... Ouille ! C'est toujours le PMOS qui coince...
peufeu
 
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Message » 29 Jan 2017 14:22

As-tu vu l'astuce sur les Hexorciste ?
Samsara
 
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Message » 29 Jan 2017 14:37

OK, il a mis une paire de drivers... mais tout le monde met une paire de drivers...

https://amplifredy.files.wordpress.com/ ... /hexo3.jpg
peufeu
 
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Message » 29 Jan 2017 15:42

L'astuce est à ce niveau mais pas vraiment là :ane:
Regarde bien les résistances R31 et R32
Image

Leurs rôle est donné dans l'article du Hexo 2 https://onedrive.live.com/?id=2E899D202 ... 20263C980B dont voici l'extrait qui en parle précisément
Image
Samsara
 
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Message » 29 Jan 2017 17:46

mon dieu ... je pensais pas qu'une resistance avait tant d'importance dans l'écoute de la musique

et ca s'entend la difference?
tonylb
 
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Message » 29 Jan 2017 18:11

:ko:
On dirait quelqu'un qui ne lit pas et qui quand même commente et écrit des âneries :ane:
Samsara
 
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Message » 29 Jan 2017 19:50

Ah, je n'avais lu que l'article sur le HEXO3 et les explications étaient dans celui du HEXO2 !...

C'est donc simplement un driver classe A, ce qui est toujours une bonne idée. Mettre un driver en classe AB pour économiser 5mA, ça mérite le fouet ! La résistance sert juste à donner un courant de repos au transistor. La question que je me pose est pourquoi utiliser deux résistances et pas une en travers des émetteurs des drivers comme d'habitude, ce qui évite que le courant de repos du driver varie en fonction de l'amplitude du signal.

AMHA si cet ampli sonne bien ce sera surtout dû au fait qu'il n'utilise pas la compensation par pôle dominant et donc que toute la contre-réaction est appliquée à la sortie, ce qui est bien mieux (quand c'est stable).

Sur le PMOS il une résistance de gate de 10R, son IRF9532 a une capa de 700pF max donc ça fait un pôle vers 15 MHz donc parfait.

Avec un MOSFET qui a une capacité de 7 nF ton pôle est à 1.5 MHz, difficilement gérable ; par contre le gros PMOS IXYS avec 77nF nécessiterait un driver complètement différent...

Dommage qu'il n'explique pas d'où vient l'écrétage doux. En plus, je ne peux pas faire de simulation là, car Windows 10 a décidé d'installer une mise à jour suicide, je n'ai donc plus de PC Windobe depuis ce midi... grrrrr...
peufeu
 
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Message » 29 Jan 2017 20:31

peufeu a écrit:La résistance sert juste à donner un courant de repos au transistor. La question que je me pose est pourquoi utiliser deux résistances et pas une en travers des émetteurs des drivers comme d'habitude, ce qui évite que le courant de repos du driver varie en fonction de l'amplitude du signal.

Ce que je vois c'est que R31 (grosse résistance de 3W) va au rail Négatif pour décharger la Gate ,ce qui permet d’après lui d'éviter les oscillations du à Ciss ,idem pour R32 qui va au rail Positif.
Voila pourquoi il indique qu'il n'a pas besoin de brider son ampli en BP et peut utiliser des Mosfet avec un gros Ciss. :bravo:

L’écrêtage doux est réalisé via Q8 et Q9 qui vont brider l'ampli de tension sur Q5 et Q7.
Samsara
 
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Message » 29 Jan 2017 21:12

Samsara a écrit:Ce que je vois c'est que R31 (grosse résistance de 3W) va au rail Négatif pour décharger la Gate


Oui, car le driver est en signle-ended et pas en push pull, donc il faut bien une résistance ou une source de courant pour lui donner un courant de repos...

Samsara a écrit:Ce qui permet d’après lui d'éviter les oscillations du à Ciss ,idem pour R32 qui va au rail Positif.
Voila pourquoi il indique qu'il n'a pas besoin de brider son ampli en BP et peut utiliser des Mosfet avec un gros Ciss. :bravo:


Avec une explication assez romancée d'ailleurs !
C'est un simple driver, en fait. Note que ça marche très bien tant que la capacité est raisonnable... Le PMOS IXYS en a une 100x plus grosse, donc c'est différent.

En fait le problème vient de la résistance de grille : on ne peut pas descendre en dessous d'une certaine valeur (qq dizaines d'ohms) pour éviter une oscillation du MOSFET (ou du driver). Donc on a un pôle, à une fréquence qui dépend de la capacité du MOS. Plusieurs petits MOS avec chacun leur résistance auront un pôle à une fréquence plus élevée.

> L’écrêtage doux est réalisé via Q8 et Q9 qui vont brider l'ampli de tension sur Q5 et Q7.

Sûr ? D'après ce qu'il dit Q8/Q9 servent pour la protection... c'est un schéma assez usuel.
peufeu
 
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Message » 29 Jan 2017 22:01

Tu penses que 10mA n'est pas suffisant ?
Si c'est le cas on pourrait l'augmenter, en tout cas je compte faire les tests sur deux mêmes platines entre ces gros Mosfet et le couple IRFP240/9240.
Pour l'écretage, oui c'est bien ça et il n'y a aucune originalité, je les avais d'ailleurs supprimé sur une platine de test.
Samsara
 
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